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DDTC114YLP-7中文资料

DDTC114YLP-7图片

DDTC114YLP-7外观图

  • 大小:546KB
  • 厂家:
  • 描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:250mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:3-XFDFN
  • 供应商设备封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DDTC114YLPDITR

DDTC114YLP-7供应商

更新时间:2023-03-21 10:40:55
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